PW2319芯片P溝道增強型MOSFET
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70m&Ome
一般說明
PW2319采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70mΩ@VGS=-10V
提供3針SOT23-3封裝
應用
電池保護
負荷開關
不間斷電源
絕對最大額定值（TA=25℃，除非另有說明）
電氣特性
非常感謝用戶kuakewei 的投稿！
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