PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
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PW2319芯片P溝道增強(qiáng)型MOSFET

時間:2021-01-14 16:22:57來源: 作者: 點(diǎn)擊:次
一般說明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70m&Ome

一般說明
PW2319采用先進(jìn)的溝道技術(shù)，提供優(yōu)秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護(hù)或在其他交換應(yīng)用中。
特征
VDS=-40V，ID=-5A
RDS（開）<70mΩ@VGS=-10V
提供3針SOT23-3封裝
應(yīng)用
電池保護(hù)
負(fù)荷開關(guān)
不間斷電源

 

絕對最大額定值（TA=25℃，除非另有說明）

電氣特性

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