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隔離是交流電壓電機驅動不可分割的一部分。電氣隔離的方法有多種——主要采用光耦合器和數字隔離器。使用數字隔離器與傳統的光耦合器相比具有數種優勢—&md

特斯拉線圈原理揭秘解讀特斯拉線圈是一種射頻 振蕩器，可驅動空芯雙調諧振變壓器，在低電流時產生高壓。特斯拉的原始電路以及大多數現代線圈使用簡單的火花隙來激發調諧變

所有用作開關模式電源的電源轉換器都會產生干擾。這種干擾主要是由開關頻率和開關轉換的高頻引起的。在開關穩壓器環境中有三種干擾傳輸路徑：輻射發射，以及開關穩壓器輸出

對于電機控制或電磁控制應用中使用的許多電氣系統來說，惡劣的環境是現實的。控制電動機和螺線管的電子設備必須非�？拷�用于產生最終應用所需的物理運動的高電流和高電壓。

二十多年來，電動機能效一直是全球能源監管機構關注的焦點。這是通過提高電力使用效率和使用可再生能源轉換一些能源來實現最大限度減少碳排放的全球努力的一部分。早期的運

無處不在的物聯網（IoT）依賴于無線連接，但是有許多無線選項，并非每個設備都是IP可尋址的 - 這是物聯網的必備功能。更重要的是，RF設計本來就很困難。很少有公司具備實施

引言變頻調速作為交流電機調速的主要手段已經在工業領域中應用的十分廣泛，其具有的調速范圍寬、穩速精度高、動態響應快、適用范圍廣、運行可靠等技術性能，已逐步取代直流

鎖相環（PLL）是電子系統中功能最多，最靈活，最有價值的電路配置之一，因此可用于許多應用。它用于時鐘重定時和恢復，作為頻率合成器，以及作為可調諧振蕩器，僅舉幾個例子

在自然環境和人造環境中幾乎無處不在。它們很容易辨認，因為它們往往是個人不適的根源。我們穿著溫暖，以減少在寒冷的一天損失的身體熱量，而加熱和空調通過設置室內空氣溫

電子密碼鎖按照輸入密碼方式的不同可分為好多種，其中最常用的一種是用數字鍵盤輸入密碼的電子密碼鎖。這一講主要介紹用ATmega8和LCD1602液晶顯示器等組成的電子密碼鎖，這

1．實驗任務如圖所示，監視開關K1（接在P3.0端口上），用發光二極管L1（接在單片機P1.0端口上）顯示開關狀態，如果開關合上，L1亮，開關打開，L1熄滅。2．電路原理圖3．系統

一、板子跳線器說明：所有跳線都在左邊，則由單片機控制。1、靠近光偶的短路冒打在CLK-555方向時有板上的555提供時鐘給驅動器；打在CLK-CPU時右用戶CPU提供時鐘給驅動器。2

觸摸感應屏幕為手持設備增添了許多功能。它們還可以節�。�電池）壽命。盡管在過去幾年中設計低能耗系統取得了很大進展 - 電池能量密度更高，電子消耗更少，電源管理更精細

隨著觸摸屏變得越來越復雜，使用它們進行設計變得更具挑戰性。幸運的是，良好設計的規則沒有改變，并且有許多解決方案可以幫助您應對挑戰。人機界面（HMI）在過去幾年中經歷

移動設備似乎都有觸摸屏顯示器，而且通常還有許多其他傳感器。了解底層技術可以幫助您評估這些設計中不可避免的權衡�，F代游戲，醫療和移動設備主要由集中顯示器為主要用戶

有許多因素導致加速度計技術的快速發展。首先是這類設備的市場不斷擴大，特別是在汽車，消費品和醫療電子產品領域，加速度計可以實現幫助產品在市場上取得成功的新功能。例

設計低功耗MCU并不容易，也沒有為您的特定嵌入式設計選擇合適的MCU。許多特定于應用的注意事項都會起到作用，這使得比較MCU規格表具有挑戰性。本文分析了在分析競爭性MCU替

嵌入式世界通常形成一系列重要產品公告的背景，今年是嵌入式世界大會10周年紀念日。展覽，也不例外。在德國紐倫堡展覽中心舉辦了三天，吸引了900多家參展商和超過20，000名

PLC輸入端有信號干擾解決方案 控制系統作為工業系統中重要組成部分，運行模式與工業化系統作用效果之間存在緊密的聯系。在 PLC 控制系統應用過程中很有可能會受到外在因素

今天為大家介紹一項國家發明授權專利——電能表自動檢測系統。該專利由廣州供電局有限公司申請，并于2017年8月1日獲得授權公告。內容說明本發明涉及電力儀表檢測

近日，有媒體報道稱，北京微電子技術研究所日前成功研制出國內首個自主可控的宇航用千萬門級高性能高可靠FPGA（現場可編程門陣列）芯片。FPGA一直是國內的短板，市場基本被

怎么學單片機？也�？吹接腥苏f學了好幾個月可就是沒有什么進展。當然，受限于每個人受到的教育水平不同和個人理解能力的差異，學習起來會有快慢之分，但我感覺最重的就是學

詳解電子開關實現過流保護的原理電子開關或稱為智能開關(Smart Switch)，是一種基于集成電路技術的智能型器件，具有體積小、功耗低、響應速度快和阻抗小的特點，可提供高可

無刷直流（BLDC）電機正迅速成為要求高可靠性，高效率和高功率體積比的應用的自然選擇。這些電機在很寬的速度范圍內提供大量的扭矩，并且與有刷電機具有相似的扭矩和速度性

長期以來，寬帶隙氮化鎵硅（GaN-on-Si）晶體管現已上市。他們被吹捧為取代硅基MOSFET，這對于許多高性能電源設計而言效率低下。最近，市場上出現了幾家基于GaN-on-Si的HEMT