TLP250特點：
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
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TLP250引腳功能及應用電路圖

時間:2019-07-26 09:55:53來源:容源電子網 作者:電子愛好者 點擊:次
TLP250引腳功能及應用電路圖
TLP250特點：
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵

TLP250引腳功能及應用電路圖


TLP250特點：
TOSHIBA TLP250由GaAlAs發光二極管和a組成
集成光電探測器。
該單元采用8引腳DIP封裝。
TLP250適用于IGBT或功率MOS FET的柵極驅動電路。
•輸入閾值電流：5mA（最大值）
•供電電流：11mA（最大值）
•電源電壓：10  -  35V
•輸出電流：±1.5A（最大值）
•切換時間t pLH / t pHL）：0.5μs（最大值）
•隔離電壓：2500V rms（min）
•UL認可：UL1577，文件號E67349

TLP250引腳功能


 

 

TLP250的使用特點：

①TLP250輸出電流較小，對較大功率IGBT實施驅動時，需要外加功率放大電路；

②由于流過IGBT的電流是通過其他電路檢測來完成的，而且僅僅檢測流過IGBT的電流，這就有可能對于IGBT的使用效率產生一定的影響，比如IGBT在安全工作區時，有時出現的提前保護等；

③要求控制電路和檢測電路對于電流信號的響應要快，一般由過電流發生到IGBT可靠關斷應在10μS以內完成；

④當過電流發生時，TLP250得到控制器發出的關斷信號，對IGBT的柵極施加一負電壓，使IGBT硬關斷。這種主電路的du/dt比正常開關狀態下大了許多，造成了施加于IGBT兩端的電壓升高很多，有時就可能造成IGBT的擊穿。

TLP250應用電路圖

 

 

TLP250應用電路圖１


TLP250應用電路圖２

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