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英文介紹：Electronic materials refers to electronic technology and materials used in microelectronics technology, including semiconductor materials, dielectric materials, piezoelectric and ferroelectric materials, magnetic materials, some metal materials, polymer materials, and other relevant materials, the most important is the semiconductor material.
    電子材料是指在電子技術和微電子技術中使用的材料，半導體材料、介電材料、壓電及鐵電材料、磁性材料、某些金屬材料、高分子材料以他相關材料，其中最重要的是半導體材料。
    在電子和微電子技術中，半導體材料主要用來制做晶體管、集成電路、固態激光器的探測器等器件。1906年發明真空三極管，奠定了本世紀上半葉無線電電子學發展的基礎，但采用真空管的裝備體積笨重、能耗大、故障率高。1948年發明了半導體晶體管，使電子設備走向小型化、輕量化、省能化，晶體管的功耗僅為電子管的百萬分之一。1958年出現了集成電路。集成電路的發展帶來了電子計算機的微小型化，從而使人類社會掀開了信息時代新的一頁。目前制造集成電路的主要材料是硅單晶。硅的主要特性是機械強度高、結晶性好、自然界中儲量豐富、成本低，并且可以拉制出大尺寸的硅單晶。可以說，硅材料是大規模集成電路的基石。
    硅固然是取之不盡、用之不竭的原材料，但化合物半導體材料，如砷化鎵很成為繼硅之后第二種最重要的半導體材料。與硅相比，砷化鎵具有更高的禁帶寬度，因而砷化鎵囂器件可以用于更高的工作溫度，又它具有更高的電子遷移率，于要求更高頻率和更高開關速度的場合，這也就使它成為制造高速計算機的關鍵材料。砷化鎵材料更重要的一個特性是它的光電效應，可以使它成為激光光源，這是實現光纖通訊的關鍵。因而預計砷化鎵材料在世紀之交的90年代將有一個大發展。
    在高真空條件下，采用分子速外延（MBE）、化學氣相沉積（CVD）、液相外延（LPE）金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）、化學束外延（CBE）等方法，在晶體襯底上一層疊一層地生長出不同材料的薄膜來，每層只有幾個原子層，這樣生長出來的材料叫超晶格材料。超晶格的出現將為半導體材料、器件的發展開辟更新的天地。容－源－電－子－網－為你提供技術支持

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