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開(kāi)關(guān)電源中幾種常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

時(shí)間:2018-12-21 11:06:17來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 作者:電子愛(ài)好者 點(diǎn)擊:
MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開(kāi)關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動(dòng)常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開(kāi)關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路。   在使用MOSFE

  (5)根據(jù)情況施加隔離。

  下面介紹幾個(gè)模塊電源中常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路。

  1、電源IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET

開(kāi)關(guān)電源中幾種常用的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路

圖 1 IC直接驅(qū)動(dòng)MOSFET

  電源IC直接驅(qū)動(dòng)是我們最常用的驅(qū)動(dòng)方式,同時(shí)也是最簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)方式,使用這種驅(qū)動(dòng)方式,應(yīng)該注意幾個(gè)參數(shù)以及這些參數(shù)的影響。第一,查看一下電源IC手冊(cè),其最大驅(qū)動(dòng)峰值電流,因?yàn)椴煌酒,?qū)動(dòng)能力很多時(shí)候是不一樣的。第二,了解一下MOSFET的寄生電容,如圖 1中C1、C2的值。如果C1、C2的值比較大,MOS管導(dǎo)通的需要的能量就比較大,如果電源IC沒(méi)有比較大的驅(qū)動(dòng)峰值電流,那么管子導(dǎo)通的速度就比較慢。如果驅(qū)動(dòng)能力不足,上升沿可能出現(xiàn)高頻振蕩,即使把圖 1中Rg減小,也不能解決問(wèn)題! IC驅(qū)動(dòng)能力、MOS寄生電容大小、MOS管開(kāi)關(guān)速度等因素,都影響驅(qū)動(dòng)電阻阻值的選擇,所以Rg并不能無(wú)限減小。

  2、電源IC驅(qū)動(dòng)能力不足時(shí)容-源-電-子-網(wǎng)-為你提供技術(shù)支持

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